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半导体制程所指的是MOS管实际生产完结时的栅级引线宽度，也就是栅级多晶硅的宽度。　　当然，实际中源极和溢近于不会有少量伸延到栅级下面，所以源极和漏极的实际隔开距离大于栅级宽度。这个有效地分离距离被称作有效地闸极长度，对晶体管而言是最重要的参数。

不过这个参数很难测量，所以一般必要用栅级引线宽度来较为有所不同的工艺。　　这是一个反相器的电路图。

　　PMOS接Vdd的一端是源末端S(p)，相接输入的一端是D(p)，接Vin的是栅端G(p)。　　NMOS接Vss的一端是源末端S(n)，相接输入的一端是D(s)，接Vin的是栅端G(s)。　　下面这两张图是CMOS反相器的版图，即俯视图。一张没做到标记，一张做到了标记。

电路图是做到设计时的一种抽象化的符号，而版图则是在工厂生产电路的时候，必须的投影模板的形状，所以它必需是俯视图。集成电路的生产是在硅片上大大用各种形状的掩膜版遮挡住不要被光线曝光的部分，来展开生产的（明确细节去找本工艺书或者集成电路的书都会有粗略的讲解）。　　做到标记的图中，上边是PMOS，下边是NMOS，相连两个MOS管的是多晶硅，数字电路一般硅的长度L是相同的，所取工艺最小值，比如你自由选择的工业是28nm，那么L=28nm，而Wp和Wn则是设计标准单元的工程师可以调节的参数，用来执着某些指标，比如面积要小，驱动能力很强，延后要小等等。那么这个L就是指PMOS管和NMOS管中，有源区之间的距离，即源区（S）和漏区(D)之间的距离。

明确在下文中还有讲解。

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